| 一種高電源抑制比帶隙基準(zhǔn)電壓源的設(shè)計 | |
| 所屬分類：技術(shù)論文 | |
| 上傳者：serena | |
| 標(biāo)簽： 帶隙基準(zhǔn)電壓源 電源抑制比 溫度系數(shù) | |
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| 文檔介紹： 摘要：采用共源共柵運(yùn)算放大器作為驅(qū)動，設(shè)計了一種高電源抑制比和低溫度系數(shù)的帶隙基準(zhǔn)電壓源電路，并在TSMC0.18Um CMOS工藝下，采用HSPICE進(jìn)行了仿真.仿真結(jié)果表明：在-25耀115益溫度范圍內(nèi)電路的溫漂系數(shù)為9.69伊10-6/益，電源抑制比達(dá)到-100dB，電源電壓在2.5耀4.5V之間時輸出電壓Vref的擺動為0.2mV，是一種有效的基準(zhǔn)電壓實(shí)現(xiàn)方法. | |
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