| 晶體管參數(shù)大全 | |
| 所屬分類：數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 上傳者：news | |
| 文檔大小：11 K | |
| 標(biāo)簽： ADI TI FPGA | |
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| 文檔介紹：晶體管主要分為兩大類：雙極性晶體管（BJT）和場效應(yīng)晶體管（FET）。 晶體管有三個(gè)極；雙極性晶體管的三個(gè)極，分別由N型跟P型組成發(fā)射極（Emitter）、基極(Base) 和集電極（Collector）;場效應(yīng)晶體管的三個(gè)極，分別是源極（Source）、柵極（Gate）和漏極（Drain）。 | |
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