臺積電一年一度的技術(shù)論壇定下周四（25）日在臺灣地區(qū)新竹登場，在美商應(yīng)用材料公司材料技術(shù)獲致重大突破下，預(yù)估臺積電5nm制程量產(chǎn)藍(lán)圖將更加確定，預(yù)料論壇中將揭示5nm量產(chǎn)時程，也將成為全球第一個對外宣布提供5nm代工服務(wù)的晶圓廠。

臺積電供應(yīng)鍵透露，今年臺積電技術(shù)論壇將由共同執(zhí)行長暨總經(jīng)理魏哲家擔(dān)綱主持，除揭示臺積電引以為傲的7nm即將于今年底進(jìn)行投片量產(chǎn)外，也將確立5納米制程試產(chǎn)和量產(chǎn)時程；同時也會針對市場矚目的3nm設(shè)廠地點(diǎn)，提出進(jìn)一步的說明。

應(yīng)用材料昨（17）日宣布成功運(yùn)用鈷金屬材料取代銅，作為半導(dǎo)體先進(jìn)制程中進(jìn)行沉積制程的關(guān)鍵材料，且獲致導(dǎo)電性更佳和功耗更低、讓芯片體積更小等重大突破，讓摩爾定律得以延伸推進(jìn)到7納米，甚至到5納米和3納米，預(yù)料將使臺積電等晶圓制程廠7納米量產(chǎn)腳步加速。

美商應(yīng)用材料研發(fā)人員昨?qū)３痰脚_灣宣布這項(xiàng)重要材料創(chuàng)新技術(shù)，也意味應(yīng)用材料在半導(dǎo)體先進(jìn)制程設(shè)備和材料運(yùn)用，持續(xù)扮演領(lǐng)先地位，并透露包括臺積電等晶圓制造廠將先進(jìn)制程推進(jìn)至7納米以下的商業(yè)化腳步，更向前邁進(jìn)一大步。

應(yīng)用材料表示，目前各大晶圓制程廠已導(dǎo)入在7納米制程采用這項(xiàng)新的材料革新，如果成效良好，不排除可能在7納米就可以看到導(dǎo)入鈷金屬取代銅制程技術(shù)變革。

應(yīng)用材料表示，當(dāng)半導(dǎo)體金屬沉積制程進(jìn)入7納米以下的技術(shù)節(jié)點(diǎn)時，連接芯片中數(shù)10億個晶體管的導(dǎo)線電路漸漸成為技術(shù)瓶頸。

一方面要擴(kuò)增芯片上晶體管的數(shù)量，一方面追求系統(tǒng)整合芯片封裝，縮小導(dǎo)線進(jìn)而增加晶體管密度是必然的趨勢。

但應(yīng)用材料強(qiáng)調(diào)，當(dāng)導(dǎo)線的截面積減少，導(dǎo)電區(qū)域的體積也減少，這會造成電阻增加，阻礙最佳效能的實(shí)現(xiàn)。

這種阻容遲滯有賴以創(chuàng)新突破技術(shù)瓶頸，包括在阻障層、內(nèi)襯層微縮制程，以及運(yùn)用新的材料，以利在更狹小的空間中改善導(dǎo)電特性。

應(yīng)用材料強(qiáng)調(diào)，為了解決導(dǎo)線的電阻問題，用新的鈷取代傳統(tǒng)的銅，并運(yùn)用多年累積的沉積制程技術(shù)，同時將物理氣相沉積、化學(xué)氣相沉積和原子層三種不同沉積制程技術(shù)，整合在同一設(shè)備平臺上，運(yùn)用單一整合程序，制造復(fù)雜的薄膜堆棧結(jié)構(gòu)。

應(yīng)用材料材指出，以鈷取代傳統(tǒng)銅進(jìn)行沉積制程的關(guān)鍵材料，已獲致傳導(dǎo)性更快且功耗更低等優(yōu)越性能，同時大幅節(jié)省芯片體積，芯片效能更快、體積更大。