《電子技術(shù)應(yīng)用》
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“三足鼎立”的DRAM芯片市場(chǎng)是如何形成的

2018-10-11
關(guān)鍵詞: NAND DRAM 閃存 芯片

在整個(gè)電子產(chǎn)業(yè)鏈中,存儲(chǔ)芯片扮演著至關(guān)重要的角色,它好比行軍打仗的糧草,也被譽(yù)為電子系統(tǒng)的“糧倉(cāng)”。存儲(chǔ)芯片分為閃存和內(nèi)存,閃存包括 NAND FLASH 和 NOR FLASH,內(nèi)存主要為 DRAM,本文將主要給大家講解DRAM芯片市場(chǎng)及“三足鼎立”的局面是如何形成的。

多年未變的DRAM市場(chǎng)格局

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DRAM內(nèi)存主要用于電腦、手機(jī)和部分消費(fèi)電子產(chǎn)品,據(jù)相關(guān)數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì),2017年全球DRAM市場(chǎng)達(dá)568億美元,較2016年增長(zhǎng)38.0%。目前DRAM市場(chǎng)被韓國(guó)三星、海力士和美國(guó)鎂光三家壟斷,占據(jù)八成以上的份額,最巔峰的時(shí)候它們?nèi)覊艛嗳駾RAM市場(chǎng)95%的市場(chǎng)份額。據(jù)OFweek電子工程網(wǎng)了解到,三星在DRAM市場(chǎng)稱霸多年,已連續(xù)多年霸占市場(chǎng)第一,市場(chǎng)份額過(guò)半。

韓國(guó)的DRAM內(nèi)存發(fā)展迅速,并占領(lǐng)全球一半以上的市場(chǎng),一方面得益于它們對(duì)這塊市場(chǎng)的重視和提前布局,另一方面在于三星和海力士強(qiáng)大的技術(shù)支持。美國(guó)本來(lái)就是半導(dǎo)體的發(fā)源地,再難的技術(shù)也難不倒它們。曾經(jīng)有段時(shí)間,臺(tái)灣的DRAM企業(yè)風(fēng)起云涌,試圖挑戰(zhàn)這三巨頭的地位,也出現(xiàn)了南亞、力晶、力積、玨創(chuàng)、晶豪等有一定影響力的企業(yè),但終因這三家巨大的實(shí)力而無(wú)法撼動(dòng)其地位。

2018年DRAM內(nèi)存市場(chǎng)仍然有很大增長(zhǎng)空間,最近三星公布的第三季度財(cái)報(bào)顯示,DRAM內(nèi)存為其帶來(lái)了豐厚的營(yíng)收和利潤(rùn),今年除了電腦、手機(jī)等傳統(tǒng)需求,智能電子產(chǎn)品和汽車是一個(gè)關(guān)鍵的驅(qū)動(dòng)力。

造成DRAM市場(chǎng)“三足鼎立”的原因

一、技術(shù)難度高、研發(fā)周期長(zhǎng)、投入大

存儲(chǔ)器產(chǎn)品有自身的特點(diǎn),它的設(shè)計(jì)投入非常大,同時(shí)研發(fā)周期也很長(zhǎng),當(dāng)然它的成本和售價(jià)也不低。DRAM芯片的研發(fā)難度很高,是典型的尖端科技產(chǎn)品。DRAM的技術(shù)難度在于隨著半導(dǎo)體制程的減小,電容器會(huì)受到直接穿隧電流的因素而難以微縮,且電容值也難增加。有專家預(yù)測(cè),15nm是接近DRAM的物理極限,未來(lái)若想縮小線寬,只得開(kāi)發(fā)新的材質(zhì)。

隨著半導(dǎo)體制程的縮寫,DRAM芯片的研發(fā)周期增長(zhǎng)了,以三星為例,它們正在研發(fā)的17nmDRAM預(yù)計(jì)明年進(jìn)入量產(chǎn)階段,但16nmDRAM的研發(fā)最快量產(chǎn)時(shí)間也要達(dá)到2020年,制程提升后面的研發(fā)難度會(huì)越來(lái)越大。

DRAM技術(shù)的投入太大導(dǎo)致很多企業(yè)無(wú)法承受,動(dòng)輒幾百億。據(jù)悉,三星曾投資近百億美金加大研發(fā)最新的DRAM技術(shù)。而國(guó)內(nèi)的合肥長(zhǎng)鑫與兆易創(chuàng)新聯(lián)合投入百億研發(fā)技術(shù),這也讓很多企業(yè)望而卻步。

二、市場(chǎng)和工藝的更新周期太快

市場(chǎng)對(duì)DRAM芯片的需求也不是一成不變,從電腦到手機(jī),再到汽車、消費(fèi)電子,再到智能產(chǎn)品等,DRAM市場(chǎng)的變化也讓中小企業(yè)步步為難。DRAM芯片從70nm到16nm,再到10nm等,由于薄膜厚度無(wú)法繼續(xù)縮減,靠縮減尺寸很難提升性價(jià)比,工藝上的創(chuàng)新才是當(dāng)前進(jìn)步的關(guān)鍵。

三、跨不過(guò)的“專利坑”

對(duì)于初創(chuàng)企業(yè)而言,專利一直是半導(dǎo)體領(lǐng)域越不過(guò)的坎。美光半導(dǎo)體和福建晉華就因?yàn)閷@麊?wèn)題,雙方弄得不愉快。據(jù)悉,美光的多款自有品牌產(chǎn)品涉嫌侵害晉華專利,包含2TB 、500GB 的固態(tài)硬盤和相關(guān)侵權(quán)芯片。

三星和海力士在這個(gè)領(lǐng)域擁有很多的專利,三星早在上個(gè)世紀(jì)初開(kāi)發(fā)出了全球第一個(gè)生產(chǎn)DRAM內(nèi)存芯片的70納米技術(shù),當(dāng)時(shí)已經(jīng)為這個(gè)新技術(shù)申請(qǐng)了一項(xiàng)專利,如果想成為DRAM市場(chǎng)的巨頭,除了與它們合作,其它的辦法就是越過(guò)它們研發(fā)的專利,另辟蹊徑。

四、獨(dú)有工廠是這個(gè)市場(chǎng)的特點(diǎn)

三星、海力士和美光三家企業(yè)均擁有自己的DRAM內(nèi)存芯片工廠,它們擁有自己的工藝。而對(duì)于很多中小型DRAM企業(yè),沒(méi)有工廠,很難保證產(chǎn)品良率和性價(jià)比。如三星每個(gè)月是350萬(wàn)片,假設(shè)投片沒(méi)有大幅度增加,則必須要靠工藝來(lái)維持年成長(zhǎng),SK海力士和美光的工藝工廠也均有自己的優(yōu)勢(shì)。國(guó)內(nèi)近年來(lái)也有很多企業(yè)建廠,但都是小批量,很難保證大產(chǎn)能的DRAM芯片的良率。

壟斷格局仍未改變

三家企業(yè)壟斷一直是這個(gè)行業(yè)的特點(diǎn),正因如此,多年來(lái)DRAM芯片漲價(jià)不斷,這些企業(yè)賺翻了天,凈利潤(rùn)高達(dá)50%以上,三星甚至達(dá)到了80%。對(duì)于很多中小企業(yè)而言,它們也想改變DRAM市場(chǎng)的格局,很多國(guó)家想過(guò)通過(guò)“反壟斷”改變行業(yè)現(xiàn)狀,但仍舊無(wú)濟(jì)于事。


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