合肥長鑫已經重新設計了其DRAM芯片，以盡量減少對美國原產技術的使用。

　　據日經新聞亞洲評論報導，該消息人士表示，長鑫還無法完全消除威脅，其生產中依然會使用到美國的半導體設備(如Applied Materials、Lam Research及KLA-Tencor)和EDA工具(如Cadence和Synopsys)，但重新設計能夠降低威脅，避免觸及美國的知識產權。

　　長鑫存儲董事長兼CEO朱一明去年10月還曾前往歐洲，與歐洲最大的半導體設備供應商ASML商談合作，并訪問了比利時的IMEC，這是一家專注于納米電子和數字技術的開創(chuàng)性研究機構。由此可見，長鑫正在尋求美國以外的供應商的支持。

　　據了解，長鑫在合肥投資80億美元建造了一家晶圓廠，預計將于今年年底前投產。其中一位消息人士指出，長鑫最初每月將生產約10,000片晶圓，雖然需要經歷某種學習曲線，但長鑫計劃在今年年底之前獲得一些產出。

　　不過，根據長鑫去年透露DRAM項目5年規(guī)劃，該公司計劃在2018年底量產8Gb DDR4工程樣品；2019年3季度量產8Gb LPDDR4；2019年底實現產能2萬片/月；2020年開始規(guī)劃二廠建設；2021年完成17納米技術研發(fā)。

　　市調機構CINNO分析師Sean Yang指出，跟全球130萬片DRAM 硅晶圓的月產量相比，長鑫的產能仍然較小，但對于目前完全無法自制DRAM的中國大陸來說，卻是一大突破。

　　根據此前的報道，朱一明在上海舉辦的GSA MEMORY+峰會發(fā)表演講時指出，長鑫的技術源自奇夢達，并結合了長鑫自己的技術。通過與奇夢達合作，將一千多萬份有關DRAM的技術文件（約2.8TB數據）收歸囊中，目前共有1萬6千個專利申請。

　　奇夢達是從英飛凌拆分出來的知名DRAM大廠，但在2009年1月，奇夢達向法院申請破產保護。奇夢達慕尼黑研發(fā)中心和中國研發(fā)中心（位于西安高新區(qū)）是較大的兩大研發(fā)中心。