近年來，在國家政策和資金支持下，我國大力發(fā)展第三代半導體，各地方政府掀起了不斷加碼，尤其是第三代半導體產(chǎn)業(yè)或?qū)懭搿笆奈逡?guī)劃”的消息更是進一步推動了該領(lǐng)域的投資熱潮，項目開工、企業(yè)布局等不斷涌現(xiàn)...

1、第三代半導體產(chǎn)業(yè)或?qū)懭搿笆奈逡?guī)劃”

2020年9月，有消息稱我國計劃把大力支持發(fā)展第三代半導體產(chǎn)業(yè)，寫入正在制定中的“十四五”規(guī)劃，計劃在2021-2025年期間，在教育、科研、開發(fā)、融資、應用等等各個方面，大力支持發(fā)展第三代半導體產(chǎn)業(yè)，以期實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)獨立自主。

2、長沙三安160億第三代半導體項目開工

2020年7月20日，投資160億元，占地面積1000畝的“三安光電第三代半導體產(chǎn)業(yè)園”，在長沙高新區(qū)啟動開工建設(shè)。該產(chǎn)業(yè)園主要用于建設(shè)具自主知識產(chǎn)權(quán)的襯底（碳化硅）、外延、芯片及封裝產(chǎn)業(yè)生產(chǎn)基地。這里，也將誕生我國首條碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)線。

3、Cree推進建造全球最大SiC器件制造工廠

2020年8月，Cree（科銳）宣布推進從硅 (Si) 向碳化硅 (SiC) 的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型。科銳于2019年9月宣布將在美國紐約州 Marcy 建造一座全新的采用最先進技術(shù)并滿足車規(guī)級標準的 200 mm 碳化硅（SiC）功率和射頻（RF）制造工廠。該工廠目前已經(jīng)完成基礎(chǔ)工程施工，并開始主體工程施工。

4、華為投資入股北京天科合達等

2020年華為哈勃先后投資入股了國內(nèi)三家化合物半導體企業(yè)，分別為：北京天科合達，持股比例4.82%；寧波潤華全芯微電子，投資數(shù)額約214.29萬元，投資比例占6.31%；瀚天天成，認繳出資977.2萬元。

5、全球最大氮化鎵工廠進入量產(chǎn)階段

2020年9月，英諾賽科蘇州第三代半導體基地舉行設(shè)備搬入儀式。這意味著英諾賽科蘇州第三代半導體基地開始由廠房建設(shè)階段進入量產(chǎn)準備階段，標志著全球最大氮化鎵工廠正式建設(shè)完成。該項目建成后，滿產(chǎn)可實現(xiàn)月產(chǎn)8英寸硅基氮化鎵晶圓65000片。

6、臺積電與意法半導體合作，加快GaN技術(shù)開發(fā)

2020年2月，臺積電宣布與意法半導體合作加速市場采用氮化鎵產(chǎn)品。意法半導體此前預計在2020年將首批樣品交給其主要客戶。透過此合作，意法半導體將采用臺積公司的氮化鎵制程技術(shù)來生產(chǎn)其氮化鎵產(chǎn)品。

7、日本研發(fā)長晶新技術(shù)，1小時可制成優(yōu)質(zhì)GaN基底

外媒稱，日本國家材料科學研究所與東京工業(yè)大學研發(fā)了一種生長高質(zhì)量GaN晶體的技術(shù)，與現(xiàn)有技術(shù)生長的GaN晶體相比，新技術(shù)制成的GaN晶體缺陷會少很多。該技術(shù)能有效地減少位錯的形成，從而合成高質(zhì)量的晶體。該技術(shù)只需要一個簡單的工藝，在大約1小時內(nèi)就可以制成高質(zhì)量的GaN基底。

8、穩(wěn)懋投850億新臺幣建廠

2020年8月，穩(wěn)懋進駐南科高雄園區(qū)的投資案獲得科技部園區(qū)審議會核準，穩(wěn)懋預計將投入850億新臺幣（約201億人民幣）蓋新廠。此計劃將自2021年起分3年進行投資，新廠完成后月產(chǎn)能將超過10萬片，總產(chǎn)能為目前北部廠的兩倍以上。

9、比亞迪規(guī)劃自建SiC產(chǎn)線

比亞迪半導體產(chǎn)品總監(jiān)楊欽耀表示，比亞迪車規(guī)級的IGBT已經(jīng)走到5代，碳化硅MOSFET已經(jīng)走到3代，第4代正在開發(fā)當中。目前在規(guī)劃自建SiC產(chǎn)線，預計到2021年有自己的產(chǎn)線。

10、露笑科技第三代功率半導體產(chǎn)業(yè)園開工

2020年11月，露笑科技在合肥投建的的第三代功率半導體（碳化硅）產(chǎn)業(yè)園項目開工，項目總投資為人民幣100億元。主要建設(shè)國際領(lǐng)先的第三代功率半導體(碳化硅)的設(shè)備制造、長晶生產(chǎn)、襯底加工、外延制作等產(chǎn)業(yè)鏈的研發(fā)和生產(chǎn)基地。