隨著疫情、地緣政治影響，全球各國積極鞏固半導體資源及建立生產供應鏈。在各地補助支持政策的推波助瀾下，強調全球多元生產及彈性供應的國際存儲芯片大廠美光，也身處半導體供應鏈重組的浪潮中。在全球不景氣沖擊下，鎧俠、SK海力士陸續采取減產或降低資本支出以自保，美光日前也宣布第4季起同步減產DRAM和NAND Flash約二成，并持續下調資本支出，包括2022～2023年資本支出調降幅度高達四成。

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在下游市場需求下降與景氣復蘇反轉時間難料下，存儲廠正試圖透過供給調節來加速市場秩序恢復平衡。盡管美光在資本支出投入轉趨保守，但仍預期供應鏈庫存調整有望于2023年初獲得改善，且終端需求將于第2季開始反彈。美光預估2023年需求增長將接近DRAM和NAND的長期增長率，也就是DRAM增長率約為14%~16%、NAND約在28%，且2023年的供給增長將會低于需求增長，DRAM供給增長率將下滑，NAND Flash供給僅有個位數增長。

存儲產業周期雖然面臨下滑，借由1β DRAM制程節點和232層3D NAND量產，美光不僅得以繼續大幅降低成本，同時借由先進制程技術的投資與研發遠景，在各國政府的半導體補助及優惠政策中發揮如魚得水的效益，更牽動未來20年全球存儲產業的制造規劃與布局。

面對消費力疲弱及國際競爭局勢動蕩的雙重挑戰、各國對半導體芯片的高額補助及多重管制將成為大趨勢，產業競爭在地緣政治的拉扯牽動中更加嚴峻。

美光全球布局調整

拜登政府的《芯片與科學法案》（Chips and Science Act；CHIPS Act）激勵下，美國本土制造的大旗飄揚，美光近期接連宣布多項重大投資，包含預計2030年底前將投資400億美元，在美國建立“尖端存儲制造”業務；9月進一步宣布在愛達荷州總部斥資150億美元的建廠計劃；將于紐約州建造全新DRAM巨型工廠，預計在長達20年內分4期投入1,000億美元計劃—將是美國史上最大存儲廠的投資案。

作為美國代表性半導體大廠，美光響應政府政策的措施應是理所當然。過去美光曾對外表達，在美國生產存儲的成本比亞洲高出35%~45%，故政府提供補貼誘因將是決定建置晶圓廠的重要考量之一。根據市場報告估計，美光可望在“芯片法案”取得高達121億美元的補貼款，其金額僅次于英特爾。

美國DRAM產能比重的急速躍升，將對全球存儲產業版圖消長帶來關鍵影響。美光預計第一階段將投資200億美元，可望于2024年開工及2025年起陸續實現量產，正式啟動美國制造的生產大計。

再回溯至2021年下半，當時美光的新廠投資地點尚未定案，日本也曾是美光積極評估的選項之一，曾傳出日本政府將提供巨額補貼，美光可望將砸下8,000億日元在日本興建先進DRAM新工廠、并預計2024年啟用生產。盡管設廠案應是無疾而終，但也顯見政府支援對于長期持續性研發投資是具有重要影響，也符合國際大廠在分散供應及降低政治風險的綜合考量。

半導體在地制造的風潮持續蔓延，在芯片產業沉寂多年后，日本政府啟動半導體產業復興執行計劃，2022年3月1日通過相關補助法案，不僅是臺積電熊本廠確定名列補助之列，美光領先推動1β DRAM制程量產后，其廣島廠也成功爭取補貼入袋，日本政府大方提供美光約465億日元。

對美光來說，這筆補貼如同是臨空而降的肥美果實。根據近年來先進DRAM技術的發展藍圖，美光一直是依照既定計劃且按部就班推動技術升級，DRAM制程采取每年推進1個世代為目標，并以中國臺灣、日本兩地輪流交替來主導量產最新制程，在中國臺灣A3廠區2021年順利展開量產1α納米，廣島廠的1β節點制程也隨即啟動腳步，在2022年如期完成量產任務，中國臺灣預計2023年初將跟進量產1β節點制程，同時臺中A3廠也準備提前導入第一臺EUV，將在下一階段的1γ節點開始采用EUV設備。但這筆補助卻非憑空得來，美光也的確為了技術升級而積極投入研發，執行長Sanjay Mehrotra表示，過去3年來，美光已花費數億美元投入1β的研發，預期未來導入量產之后，在接下來的2年將會花費約10億美元進行1β技術的良率提升。在過去4~5年內，美光也成為日本最大的外商投資者。

日本砸下重金補貼半導體產業，能否重振昔日風光仍有待觀察，但這波補助正好是迎合日本政府推動新一波半導體業的制造復興風潮，除了加強在地生產以免遭受“斷鏈”危機，更能藉由美、日陣線共同攜手，強化半導體供應鏈的目標，達成支持日本國內半導體業所需要的先進存儲芯片供應。

美光仍重視中國臺灣，將引入美光首臺EUV

在美光目前主要生產據點中，雖然日本和中國臺灣均是美光DRAM的制造中心，生產最先進的DRAM節點，但美光在臺投資金額更為龐大。中國臺灣分廠提供約達65% DRAM產能供應，而日本比重約當35%。美光在未來20年內持續提高在美國本土生產比重，美光強調采取多樣化、靈活且有彈性的供應鏈，對滿足美光客戶的全球需求而言是至關重要，這也是美光的競爭優勢。

相較于美光預計未來2年內將在日本投資10億美元，過去3年來，美光平均每年在臺投資金額達到30億美元。根據規劃，接下來美光將推動最先進的1γ技術，預計2024年在臺落地量產，并采用昂貴的EUV設備。美光之所以選擇中國臺灣作為第一個采用EUV設備的生產基地，主要是考量到中國臺灣半導體生態系統的完善性，尤其是臺積電采用EUV設備發揮領頭效應，設備商ASML也會考量在中國臺灣已有不同廠商采用需求，并持續在中國臺灣提高投資及培訓人才計劃。

由于EUV設備非常昂貴且復雜，在整體產業生態、機器可靠性，例如光罩、微影及技術人才等相關環節都要能相互搭配，對成本考量評估謹慎的美光來說，2024年1γ制程導入EUV設備，是基于技術、效能與成本等綜合因素下的選擇。

在廣島廠1β節點進入量產之際，日本媒體也關心到未來廣島廠是否將加入EUV設備生產。美光回應時隱約透露出兩地客觀環境的差異，包括日本對于新設廠的各項環保條件要求非常嚴苛，如廢氣、廢水、毒物處理等等，雖然目前已在申請相關文件之中，但美光仍無法評估新建廠的時機點。

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