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生產最新12nm芯片,三星逆勢計劃新增10臺EUV光刻機

2022-12-28
來源:21ic

由于內存價格暴跌,美光、SK海力士兩家內存廠商都已經大幅削減了投資,降低了產能,然而三星作為內存一哥不為所動,不僅不打算減產,甚至還在擴大投資,明年新增至少10臺EUV光刻機,用于生產最新的12nm級內存芯片

三星在韓國的內存工廠主要是位于平澤市的晶圓廠,其中P3晶圓廠目前的產能是每月2萬片晶圓,三星已經計劃擴大投資,增加內存生產設備,將產能提升到每月7萬片晶圓。

在這些設備中,最重要的就是EUV光刻機了,三星從14nm級別的內存芯片開始引入EUV光刻機,EUV光刻機可以減少多重曝光工藝,提供工藝精度,從而可以減少生產時間、降低成本,并提高性能。

當然,上EUV工藝的代價也不是沒有,EUV光刻機單價10億元以上,產量也不如傳統DUV光刻機,意味著初期成本會比較高。

按照三星的計劃,2023年的P3晶圓廠將新增至少10臺EUV光刻機,主要用于量產此前發布的12nm級DRAM內存芯片。

12月21日消息,三星宣布全球首發12nm工藝的DDR5內存,核心容量16Gb,并率先完成AMD平臺兼容認證。

三星是全球第一大DRAM內存芯片公司,技術上也是最領先的之一,2021年率先推出了14nm DRAM芯片,用上了EUV工藝,這次的12nm DRAM內存芯片則是進一步的技術升級版。

除了EUV工藝之外,12nm DRAM內存還使用了高K材料及改善電路特性的專用設計技術,該內存具有業界最高的存儲密度,而且晶圓生產效率提升了20%。

三星沒有提及太多的技術細節,速度上可達7.2Gbps,號稱1秒內可以處理2部30GB的UHD電影,功耗比以前的DRAM降低了23%。



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